Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2Т881А

Код: 2929
Недоступний
300 ₴
2Т881А - фото 1 - id-p848629458

Характеристики та опис

Найменування: Транзистор 2Т881А

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 05-07гг.

Виробник: Кремній

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

IHW20N120R5XKSA1 Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP RC, 1,2кВ, 20А, 144Вт, TO247-3
IHW20N120R5XKSA1 Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP RC, 1,2кВ, 20А, 144Вт, TO247-3
396.25 ₴
SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
388.75 ₴
Транзистор польовий MOSFET YJD18GP10A
Транзистор польовий MOSFET YJD18GP10A
101 ₴
Польовий транзистор IRF640N 10 шт., N-канальний, TO-220AB у корпусі TO-220AB
Польовий транзистор IRF640N 10 шт., N-канальний, TO-220AB у корпусі TO-220AB
369 ₴
529 ₴
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM
97 ₴
108 ₴
IXTQ36N30P Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, польовий, 300В, 36А, 300Вт, TO3P
IXTQ36N30P Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, польовий, 300В, 36А, 300Вт, TO3P
671.25 ₴
FGH40N60SFDTU Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) 600V, 40A
FGH40N60SFDTU Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) 600V, 40A
515 ₴
NJW3281G Біполярний транзистор, NPN, 250 В, 15 А, 200 Вт, TO-3P, Through Hole
NJW3281G Біполярний транзистор, NPN, 250 В, 15 А, 200 Вт, TO-3P, Through Hole
616.25 ₴
IKP20N65H5XKSA1 IGBT , 42 А, 1,65 В, 125 Вт, 650 В, TO-220, 3 контакти
IKP20N65H5XKSA1 IGBT , 42 А, 1,65 В, 125 Вт, 650 В, TO-220, 3 контакти
862.50 ₴
FGH40N60UFTU IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В
FGH40N60UFTU IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В
412.50 ₴
IGW30N60TPXKSA1 БТИЗ транзистор, 53 А, 1.6 В, 200 Вт, 600 В
IGW30N60TPXKSA1 БТИЗ транзистор, 53 А, 1.6 В, 200 Вт, 600 В
365 ₴
IGW15N120H3FKSA1 IGBT транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ
IGW15N120H3FKSA1 IGBT транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ
861.25 ₴
Тр. пол. IRLR7843PBF (n-ch) 30V 161A TO-252
Тр. пол. IRLR7843PBF (n-ch) 30V 161A TO-252
20 ₴
STP20NM60 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 600В, 20А, 192Вт
STP20NM60 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 600В, 20А, 192Вт
702.50 ₴