Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2Т819Б

Код: 2814
Недоступний
270 ₴
2Т819Б - фото 1 - id-p848478975

Характеристики та опис

Найменування: Транзистор 2Т819Б

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка:

Рік виготовлення: 88-12гг.

Виробник: Кремній

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

IRFP21N60LPBF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 600V 21A
IRFP21N60LPBF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 600V 21A
388.75 ₴
IXFH12N90P Транзистор: N-MOSFET, Polar™, польовий, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3
IXFH12N90P Транзистор: N-MOSFET, Polar™, польовий, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3
1 018.75 ₴
STW15NK90Z MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 900 В: Iс (25 ° C): 15 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STW15NK90Z MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 900 В: Iс (25 ° C): 15 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
427.50 ₴
Транзистор FIR120N055P, 55V, 120A, TO-220
Транзистор FIR120N055P, 55V, 120A, TO-220
169 ₴
249 ₴
IRGPS46160DPBF IGBT транзистор - TO-274AA: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 240 А: Ік @ 100 ° C: 160 А: Uке.нас: 2.05 В: tнар: 70
IRGPS46160DPBF IGBT транзистор - TO-274AA: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 240 А: Ік @ 100 ° C: 160 А: Uке.нас: 2.05 В: tнар: 70
2 080 ₴
SP020N09GHTF 200V 90A 9mΩ@10V,20A 400W 2V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
SP020N09GHTF 200V 90A 9mΩ@10V,20A 400W 2V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
515 ₴
Транзистор біполярний NPN MUN5211T1G
Транзистор біполярний NPN MUN5211T1G
13 ₴
IRFP31N50LPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 31 А: Rсі (вкл): 0.18 Ом: @ Uзатв (ном): 10
IRFP31N50LPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 31 А: Rсі (вкл): 0.18 Ом: @ Uзатв (ном): 10
558.75 ₴
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
917.50 ₴
IGW20N60H3FKSA1 Біполярний транзистор IGBT 600В 20А
IGW20N60H3FKSA1 Біполярний транзистор IGBT 600В 20А
545 ₴
YGW50N120FSA1 50A 1.2kV TO-247-3 IGBTs
YGW50N120FSA1 50A 1.2kV TO-247-3 IGBTs
467.50 ₴
AOTL66518 Транзистор: N-MOSFET, AlphaSGT™, польовий, 150В, 214А, Idm: 710А
AOTL66518 Транзистор: N-MOSFET, AlphaSGT™, польовий, 150В, 214А, Idm: 710А
572.50 ₴
FDN5618P MOSFET транзистор - SOT-23-3: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 1.2 А: Rсі (вкл): 0,17 ... 0,23 Ом: @ Uзатв (ном) 4 , 5 ...
FDN5618P MOSFET транзистор - SOT-23-3: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 1.2 А: Rсі (вкл): 0,17 ... 0,23 Ом: @ Uзатв (ном) 4 , 5 ...
412.50 ₴
IRFPS43N50KPBF MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 190 А
IRFPS43N50KPBF MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 190 А
1 065 ₴