Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2Т819В ОС

Код: 2813
Недоступний
270 ₴
2Т819В ОС - фото 1 - id-p848472889

Характеристики та опис

Найменування: Транзистор 2Т819В ОС

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка:

Рік виготовлення: 09.12 р.

Виробник: Кремній

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

TIP147G Транзистор: PNP: біполярний: Дарлінгтон: 100В: 10А: 125Вт
TIP147G Транзистор: PNP: біполярний: Дарлінгтон: 100В: 10А: 125Вт
383.75 ₴
STGW30NC60WD IGBT транзистор, 60 А, 2.5 В, 200 Вт, 600 В
STGW30NC60WD IGBT транзистор, 60 А, 2.5 В, 200 Вт, 600 В
401.25 ₴
STW11NM80 MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.4 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STW11NM80 MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.4 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
382.50 ₴
MOSFET Omron G3VM1872F G9K, 20 В/DC, 160 мА, 1 шт.
MOSFET Omron G3VM1872F G9K, 20 В/DC, 160 мА, 1 шт.
1 023 ₴
IKQ75N120CS6 IGBT, 150 А, 1,85 В, 880 Вт, 1,2 кВ, TO-247, 3 контакти
IKQ75N120CS6 IGBT, 150 А, 1,85 В, 880 Вт, 1,2 кВ, TO-247, 3 контакти
1 357.50 ₴
BU931P Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: 400В: 15А: 135Вт
BU931P Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: 400В: 15А: 135Вт
507.50 ₴
Транзистор B1073
Транзистор B1073
25 ₴
42 ₴
SPW24N60C3FKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 24.3 А, 160 мОм
SPW24N60C3FKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 24.3 А, 160 мОм
995 ₴
RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
708.75 ₴
Транзистор P4N880FP. Нові
Транзистор P4N880FP. Нові
50 ₴
MJL21194G Біполярний транзистор - [TO-3PBL]: Тип: NPN: UКЕ (макс): 250 В: IК (макс): 16 А: Pрасс: 200 Вт: Fгран: 4 МГц: h21: 25
MJL21194G Біполярний транзистор - [TO-3PBL]: Тип: NPN: UКЕ (макс): 250 В: IК (макс): 16 А: Pрасс: 200 Вт: Fгран: 4 МГц: h21: 25
717.50 ₴
STP42N65M5 MOSFET силовий транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 650 В: Iс (25 ° C): 33 А: Rсі (вкл): 79 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STP42N65M5 MOSFET силовий транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 650 В: Iс (25 ° C): 33 А: Rсі (вкл): 79 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
1 373.75 ₴
BPX38-4 Фототранзистор, TO18, 4,3 мм, 50В, 40 °, Лінза: прозора, 0,675 мм2
BPX38-4 Фототранзистор, TO18, 4,3 мм, 50В, 40 °, Лінза: прозора, 0,675 мм2
467.50 ₴
STGWA15H120DF2 Транзистор: IGBT, 1,2 кв, 15А, 259Вт, TO247-3
STGWA15H120DF2 Транзистор: IGBT, 1,2 кв, 15А, 259Вт, TO247-3
625 ₴