Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2Т803А ОС

Код: 2789
Недоступний
220 ₴
2Т803А ОС - фото 1 - id-p848444011

Характеристики та опис

Найменування: Транзистор 2Т803А ОС

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка:

Рік виготовлення: 03-09гг.

Виробник: Іскра

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

IRGB15B60KDPBF IGBT: 600 В, 31 А
IRGB15B60KDPBF IGBT: 600 В, 31 А
411.25 ₴
RD06HVF1-101 RF-MOSFET 175MHz 6W 12.5V TO220
RD06HVF1-101 RF-MOSFET 175MHz 6W 12.5V TO220
758.75 ₴
STP14NK50ZFP MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uсі: 500 В: Iс(25°C): 14 А: Rсі(вкл): 0.38 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STP14NK50ZFP MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uсі: 500 В: Iс(25°C): 14 А: Rсі(вкл): 0.38 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
396.25 ₴
AUIRF3305 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 55В 140А
AUIRF3305 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 55В 140А
805 ₴
C2M0160120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 17,7 А, 125Вт
C2M0160120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 17,7 А, 125Вт
1 400 ₴
GT50N322A IGBT 1000 V 50 A 156 W
GT50N322A IGBT 1000 V 50 A 156 W
1 171.25 ₴
IKW25N120T2 Транзистор IGBT, 1,2кВ, 50А, 349Вт, TO247-3
IKW25N120T2 Транзистор IGBT, 1,2кВ, 50А, 349Вт, TO247-3
417.50 ₴
Транзистор B1132
Транзистор B1132
20 ₴
43 ₴
STGW40V60DF IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 283 Вт, 600 В
STGW40V60DF IGBT транзистор, 80 А, 1.8 В, 283 Вт, 600 В
750 ₴
2N6547 Транзистор: NPN: біполярний: 400В: 15А: 175Вт: TO3
2N6547 Транзистор: NPN: біполярний: 400В: 15А: 175Вт: TO3
556.25 ₴
Транзистор B1064
Транзистор B1064
25 ₴
47 ₴
Транзистор польовий MOSFET SPP04N60C3XKSA1
Транзистор польовий MOSFET SPP04N60C3XKSA1
489 ₴
GT50J328 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
GT50J328 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
591.25 ₴
Транзистор ku611. Нові
Транзистор ku611. Нові
25 ₴