Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2Т630Б (NI)

Код: 2770
Недоступний
140 ₴
2Т630Б (NI) - фото 1 - id-p848427888

Характеристики та опис

Найменування: Транзистор 2Т630Б (NI)

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "NI"

Рік виготовлення:2000-08рр.

Виробник: Кремній

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

Транзистор B734
Транзистор B734
20 ₴
34 ₴
Транзистор 2SB716
Транзистор 2SB716
20 ₴
40 ₴
SPW11N80C3FKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 800 В, 11 А, 450 мОм
SPW11N80C3FKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 800 В, 11 А, 450 мОм
682.50 ₴
Транзистор польовий MOSFET MMBFJ108
Транзистор польовий MOSFET MMBFJ108
87 ₴
STD15N50M2AG Силовий МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10 А, 0.336 Ом
STD15N50M2AG Силовий МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10 А, 0.336 Ом
775 ₴
SIHG17N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
SIHG17N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
485 ₴
C2M0080120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 36А, 208Вт
C2M0080120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 36А, 208Вт
2 137.50 ₴
IGB15N60T Транзистор: IGBT: 600В: 15А: 130Вт
IGB15N60T Транзистор: IGBT: 600В: 15А: 130Вт
436.25 ₴
STP57N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh M5, польовий, 650В, 26,5А, Idm: 168А
STP57N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh M5, польовий, 650В, 26,5А, Idm: 168А
1 380 ₴
Транзистор B1010
Транзистор B1010
15 ₴
27 ₴
IPW60R040C7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 50 А, 0.034 Ом, TO-247, Through Hole
IPW60R040C7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 50 А, 0.034 Ом, TO-247, Through Hole
1 988.75 ₴
SIHG186N60EF-GE3 MOSFET, N-CH, 600 В, 8,4 А, TO-247AC
SIHG186N60EF-GE3 MOSFET, N-CH, 600 В, 8,4 А, TO-247AC
667.50 ₴
Транзистор B986
Транзистор B986
20 ₴
33 ₴
Транзистор КТ837М pnp 80В 7.5А
Транзистор КТ837М pnp 80В 7.5А
20 ₴