Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2Т307Б-1

Код: 2632
Недоступний
80 ₴
2Т307Б-1 - фото 1 - id-p848306997

Характеристики та опис

Найменування: Транзистор 2Т307Б-1

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 91-08рр.

Виробник: Світлана

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

IRF7493PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rсі (вкл): 15 мом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв (макс): 20
IRF7493PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rсі (вкл): 15 мом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв (макс): 20
105 ₴
2N6043G Біполярний транзистор - TO-220AB, Тип: NPN Darl., UКЕ (макс): 60 В, IК (макс): 16 А, Pрасс: 75 Вт, Fгран: 4 МГц, h21: 1000
2N6043G Біполярний транзистор - TO-220AB, Тип: NPN Darl., UКЕ (макс): 60 В, IК (макс): 16 А, Pрасс: 75 Вт, Fгран: 4 МГц, h21: 1000
177.50 ₴
N-канальний 120В 7 PSMN7R8-120PSQ
N-канальний 120В 7 PSMN7R8-120PSQ
692 ₴
TIP35C Біполярний транзистор - Тип: NPN: UКЕ (макс): 100 В: IК (макс): 25 А: Pрасс: 125 Вт
TIP35C Біполярний транзистор - Тип: NPN: UКЕ (макс): 100 В: IК (макс): 25 А: Pрасс: 125 Вт
155 ₴
STP11NK50ZFP MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 0.52 Ом: @ Uзатв (ном):
STP11NK50ZFP MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 0.52 Ом: @ Uзатв (ном):
100 ₴
Транзистор NEC B897
Транзистор NEC B897
130 ₴
174 ₴
Транзистор A1534A
Транзистор A1534A
15 ₴
24 ₴
STP24N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 18 А, 0.168 Ом, TO-220AB, Through Hole
STP24N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 18 А, 0.168 Ом, TO-220AB, Through Hole
5.0 (1)
162.50 ₴
IRFU9310PBF MOSFET силовий транзистор - [I-Pak]: Тип: P: Uси: 400 В: Iс (25 ° C): 7.2 А: Rсі (вкл): 7 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
IRFU9310PBF MOSFET силовий транзистор - [I-Pak]: Тип: P: Uси: 400 В: Iс (25 ° C): 7.2 А: Rсі (вкл): 7 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
165 ₴
IPA80R1K4P7XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 800 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
IPA80R1K4P7XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 800 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
183.75 ₴
STP10NK70ZFP Транзистор MOSFET N-CH 700V 8.6A
STP10NK70ZFP Транзистор MOSFET N-CH 700V 8.6A
157.50 ₴
IPD079N06L3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 50А, 79Вт
IPD079N06L3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 50А, 79Вт
97.50 ₴
FQPF12N60-VB 650V 12A 680mΩ@10V 1 N-Channel TO-220F MOSFETs
FQPF12N60-VB 650V 12A 680mΩ@10V 1 N-Channel TO-220F MOSFETs
107.50 ₴
Транзистор польовий N-MOSFET CSD18532Q5BT Texas Instruments
Транзистор польовий N-MOSFET CSD18532Q5BT Texas Instruments
306 ₴