Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2Т208А ОС

Код: 2565
Недоступний
140 ₴
2Т208А ОС - фото 1 - id-p847832688

Характеристики та опис

Найменування: Транзистор 2Т208А ОС

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 89-09гг.

Виробник: Кремній

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

MJ15022G Біполярний транзистор, аудіо, NPN, 200 В, 4 МГц, 250 Вт, 16 А, 60 hFE
MJ15022G Біполярний транзистор, аудіо, NPN, 200 В, 4 МГц, 250 Вт, 16 А, 60 hFE
1 456.25 ₴
STD15N50M2AG Силовий МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10 А, 0.336 Ом
STD15N50M2AG Силовий МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10 А, 0.336 Ом
775 ₴
Транзистор B909M
Транзистор B909M
20 ₴
37 ₴
Міжнародний випрямляч IRFP3077PBF, TO-247 змінного струму, N-канальний уніполярний транзистор (MOSFET)
Міжнародний випрямляч IRFP3077PBF, TO-247 змінного струму, N-канальний уніполярний транзистор (MOSFET)
585 ₴
IRL7833STRLPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uсі: 30 В: Iс(25°C): 150 А: Rсі(вкл): 3.8...4.5 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
IRL7833STRLPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uсі: 30 В: Iс(25°C): 150 А: Rсі(вкл): 3.8...4.5 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
602.50 ₴
IRL1004 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 130 А: Rсі (вкл): 6.5 ... 9 мом: @ Uзатв (ном):
IRL1004 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 130 А: Rсі (вкл): 6.5 ... 9 мом: @ Uзатв (ном):
412.50 ₴
C3M0120065K МОП-транзистор Gen 3 650V 120 mO SiC МОП-транзистор
C3M0120065K МОП-транзистор Gen 3 650V 120 mO SiC МОП-транзистор
1 895 ₴
TC4422AVOA713 Драйвер МОП-транзистора, низької сторони неінвертуючий, 4.5В-18В живлення, 10А вихід, 1.25Ом, затримка 42нс
TC4422AVOA713 Драйвер МОП-транзистора, низької сторони неінвертуючий, 4.5В-18В живлення, 10А вихід, 1.25Ом, затримка 42нс
367.50 ₴
CSD19535KTTT Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 200А, Idm, 400А, 300Вт, D2PAK
CSD19535KTTT Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 200А, Idm, 400А, 300Вт, D2PAK
435 ₴
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 17 А: Ік @ 100 ° C: 8.9 А: Uке.нас: 1.95 В: Діод
IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 17 А: Ік @ 100 ° C: 8.9 А: Uке.нас: 1.95 В: Діод
695 ₴
STP20N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh V, польовий, 650В, 11,3А, 130Вт
STP20N65M5 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh V, польовий, 650В, 11,3А, 130Вт
521.25 ₴
FQA24N50 Силовий МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 23.5 А, 0.24 Ом
FQA24N50 Силовий МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 23.5 А, 0.24 Ом
1 108.75 ₴
RJH65T46DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Trench 650 В 80 A 340,9 Вт
RJH65T46DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Trench 650 В 80 A 340,9 Вт
1 090 ₴
GT50J342 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A
GT50J342 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A
401.25 ₴