Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

КТ201А

Код: 2508
Недоступний
60 ₴
КТ201А - фото 1 - id-p847759018

Характеристики та опис

Найменування: кремнієвий Транзистор КТ201А

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 81-89гг.

Виробник: .......

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

SPA11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв
SPA11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв
437.50 ₴
Транзистор 20N60, 20N60C3, SPP20N60C3, MOSFET (20А 600В) TO-220, ORIG.
Транзистор 20N60, 20N60C3, SPP20N60C3, MOSFET (20А 600В) TO-220, ORIG.
90 ₴
Тр.пол. FQPF20N60CFP (n-ch) 600V 20A TO-220F
Тр.пол. FQPF20N60CFP (n-ch) 600V 20A TO-220F
170 ₴
Транзистор B734
Транзистор B734
20 ₴
38 ₴
2N6284G Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: 100В: 20А: 160Вт
2N6284G Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: 100В: 20А: 160Вт
941.25 ₴
STGW80H65DFB Транзистор: IGBT, 1,25 кв, 30А, 375Вт, TO247-3
STGW80H65DFB Транзистор: IGBT, 1,25 кв, 30А, 375Вт, TO247-3
800 ₴
STW40N90K5 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 900 V 40A (Tc) 446W (Tc)
STW40N90K5 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 900 V 40A (Tc) 446W (Tc)
2 323.75 ₴
Транзистор B1132
Транзистор B1132
20 ₴
43 ₴
IKW40N65RH5XKSA1 Транзистор 650 В Потужність - Макс. 250 Вт Імпульсний струм колектора (Icm) 160 А
IKW40N65RH5XKSA1 Транзистор 650 В Потужність - Макс. 250 Вт Імпульсний струм колектора (Icm) 160 А
1 743.75 ₴
RJP60F4DPM-00#T1 Транзистор IGBT Trench 600 В 60 A 41,2 Вт
RJP60F4DPM-00#T1 Транзистор IGBT Trench 600 В 60 A 41,2 Вт
1 097.50 ₴
STW77N65M5 MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс (25 ° C): 69 А: Rсі (вкл): 38 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STW77N65M5 MOSFET силовий транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс (25 ° C): 69 А: Rсі (вкл): 38 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
1 433.75 ₴
FGH40N60SFDTU Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) 600V, 40A
FGH40N60SFDTU Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) 600V, 40A
515 ₴
2N6547 Транзистор: NPN: біполярний: 400В: 15А: 175Вт: TO3
2N6547 Транзистор: NPN: біполярний: 400В: 15А: 175Вт: TO3
556.25 ₴
FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Іс (25 ° C): 5 А, Rсі (вкл): 55 ... 95 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5. ..10
FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Іс (25 ° C): 5 А, Rсі (вкл): 55 ... 95 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5. ..10
395 ₴