Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2ТС622А ОС

Код: 2436
Недоступний
225 ₴
2ТС622А ОС - фото 1 - id-p847716752

Характеристики та опис

Найменування: Транзисторна матриця 2ТС622А ОС

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 02-14гг.

Виробник: ВЗПП

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про даний товар

Схоже в інших продавців

NCE3401 30V 4.2A 55mΩ@10V,4.2A 1.2W 1.3V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs
NCE3401 30V 4.2A 55mΩ@10V,4.2A 1.2W 1.3V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs
5 ₴
DMMT5401-7-F Транзистор: PNP x2, біполярний, 150В, 0,2А, 300мВт, SOT26
DMMT5401-7-F Транзистор: PNP x2, біполярний, 150В, 0,2А, 300мВт, SOT26
18.75 ₴
BSS123LT1G Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 0,17А, 0,225Вт, SOT23
BSS123LT1G Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 0,17А, 0,225Вт, SOT23
10 ₴
MJE340-CDI Транзистор: NPN, біполярний, 300В, 0,5А, 20Вт, TO126
MJE340-CDI Транзистор: NPN, біполярний, 300В, 0,5А, 20Вт, TO126
23.75 ₴
BC547C Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN
BC547C Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN
3.75 ₴
AO3407A MOSFET P-CH -30V -4.3A SOT23
AO3407A MOSFET P-CH -30V -4.3A SOT23
8.75 ₴
MMBFJ309LT1G RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr: -25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs (off) Max: -4V: Power
MMBFJ309LT1G RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr: -25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs (off) Max: -4V: Power
20 ₴
13003-OSEN Транзистор біполярний: NPN, 1.5A 400V, TO126: 4 МГц, Si.
13003-OSEN Транзистор біполярний: NPN, 1.5A 400V, TO126: 4 МГц, Si.
13.75 ₴
AO4406A Транзистор: N-MOSFET: польовий: 30В: 10,4А: 2Вт
AO4406A Транзистор: N-MOSFET: польовий: 30В: 10,4А: 2Вт
15 ₴
100N03A 30V 90A 3.8mΩ@10V 105W 2.5V 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs
100N03A 30V 90A 3.8mΩ@10V 105W 2.5V 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs
21.25 ₴
PZT2907AT1G Біполярний транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЕ (макс): -60 В: IК (макс): -600 мА: Pрасс: 1.5 Вт: Fгран: 200 МГц: h21:
PZT2907AT1G Біполярний транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЕ (макс): -60 В: IК (макс): -600 мА: Pрасс: 1.5 Вт: Fгран: 200 МГц: h21:
18.75 ₴
NSB1706DMW5T1G Транзистор: NPN x2, біполярний, BRT, 50В, 100мА, 385мВт, 4,7кОм
NSB1706DMW5T1G Транзистор: NPN x2, біполярний, BRT, 50В, 100мА, 385мВт, 4,7кОм
17.50 ₴
AO3406 Транзистор N-MOSFET, польовий, 30В, 2,9А, 0,9Вт, SOT23
AO3406 Транзистор N-MOSFET, польовий, 30В, 2,9А, 0,9Вт, SOT23
8.75 ₴
BSS138LT1G N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta)
BSS138LT1G N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta)
3.75 ₴