Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

3ОТ122А

Код: 83
Недоступний
350 ₴
3ОТ122А - фото 1 - id-p837871682

Характеристики та опис

Найменування: Оптопара транзисторна 3ОТ122А

Група: Оптопара

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 12.10 - 12.08 - 11.02 рр.

Виробник: Тантал; Оптрон

 

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

Транзистор B514E
Транзистор B514E
25 ₴
54 ₴
SPA11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв
SPA11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв
437.50 ₴
JFE2140DR FET 2 N-Channel (Dual) 40 V 50 mA Surface Mount
JFE2140DR FET 2 N-Channel (Dual) 40 V 50 mA Surface Mount
698.75 ₴
FCH104N60F N-Channel Power MOSFET, 600 V, 37 A, 104 mΩ, TO-247
FCH104N60F N-Channel Power MOSFET, 600 V, 37 A, 104 mΩ, TO-247
411.25 ₴
IRLB3036PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 270 А: Rсі (вкл): 2.4 ... 2.8 мом: @ Uзатв
IRLB3036PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 270 А: Rсі (вкл): 2.4 ... 2.8 мом: @ Uзатв
370 ₴
IRGP4066D-EPBF IGBT транзистор - TO-247AD: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 140 А: Ік при 100 ° C: 90 А: Uке.нас: 1.7 В
IRGP4066D-EPBF IGBT транзистор - TO-247AD: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 140 А: Ік при 100 ° C: 90 А: Uке.нас: 1.7 В
1 840 ₴
STGW35HF60WDI 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode
STGW35HF60WDI 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode
441.25 ₴
FGH40N60SMDF IGBT транзистор, універсальний, 80 А, 600 В, 349 Вт, 600 В
FGH40N60SMDF IGBT транзистор, універсальний, 80 А, 600 В, 349 Вт, 600 В
653.75 ₴
Транзистор польовий MOSFET STW3N150
Транзистор польовий MOSFET STW3N150
303 ₴
IRG4PC50UPBF 600V 55A 200W
IRG4PC50UPBF 600V 55A 200W
680 ₴
FDA20N50-F109 МОП-транзистор 500V, 22A, 280 W
FDA20N50-F109 МОП-транзистор 500V, 22A, 280 W
487.50 ₴
Транзистор польовий N-канальний 10N65F
Транзистор польовий N-канальний 10N65F
87 ₴
Транзистор A1706
Транзистор A1706
25 ₴
45 ₴
MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 2,1В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 1мА
MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 2,1В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 1мА
365 ₴