
| Максимальна потужність розсіювання | 123 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 135 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.9 В |
| Максимальний зворотний струм | 60 мкА |
| Максимальний прямий струм | 15 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Тип монтажу | Вставний |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D15120H1 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-2. Комплект із 5 штук.
Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та прямий струм 15 А. Максимальний імпульсний струм становить 135 А.
Технологія SiCВикористання технології SiC (карбід кремнію). Максимальна розсіювана потужність становить 123 Вт. Максимальний зворотний струм: 60 мкА.
Монтаж та корпусКомпонент виконаний у стандартному корпусі TO247-2 для монтажу в отвори (THT).