
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD30NF06LT4 — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 25 А при потужності розсіювання 70 Вт.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 25 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 28 мОм, що визначає теплові втрати при роботі. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 70 Вт, а напруга затвор-витік обмежена 20 В.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений у поверхневому корпусі DPAK. Використовується технологія SuperMesh™. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Комплектація та версіяУ наборі постачається 20 шт. транзисторів. Компонент має версію ESD, що вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.