
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 78 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerFLAT 3.3x3.3 |
| Технологія | STripFETTM F7 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL20N6F7 — це польовий транзистор з каналом збагачення, що працює при напрузі стік-витік до 60 В та струмі стоку до 12 А. Модель належить до технології STripFET™ F7 та має максимальну потужність розсіювання 78 Вт.
Транзистор характеризується максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 12 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 5.4 мОм. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента в електричних схемах.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі PowerFLAT 3.3x3.3 із поверхневим типом монтажу. Технологія виготовлення STripFET™ F7 забезпечує специфічні характеристики польового транзистора. Полярність транзистора — уніполярна, канал — збагачений.
Комплектація та ідентифікаціяУ комплекті поставляється 20 шт. транзисторів. Символ виробника: STL20N6F7. Транзистор є уніполярним.