
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 70 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.62 В |
| Максимальний зворотний струм | 20 мкА |
| Максимальний прямий струм | 20 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Тип монтажу | Вставний |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO3PF |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF — напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO3PF. Пристрій має максимальну постійну зворотну напругу 650 В та максимальний прямий струм 20 А.
Діод розрахований на роботу з постійною зворотною напругою до 650 В. Максимальний прямий струм становить 20 А, а максимальна пряма напруга — 1,62 В. Максимальний зворотний струм дорівнює 20 мкА.
Імпульсні характеристики та потужністьМаксимально допустимий прямий імпульсний струм досягає 70 А. Максимальна потужність розсіювання компонента становить 33 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений за технологією SiC. Напівпровідник має структуру «подвійна, спільна катод».
У комплекті поставляється 10 діодів.