Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N, 600 В, 8.19 А, TO247 (10 шт.)
Код: TM114388
В наявності
3 730 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 622 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.19 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N — це польовий транзистор з каналом, що збагачується. Модель має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 8.19 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 8.19 А
- Потужність розсіювання: 130 Вт
- Корпус: TO247
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 600 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимальний постійний струм стоку становить 8.19 А, а імпульсний струм може досягати 52 А. Потужність розсіювання становить 130 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO247. Тип монтажу — вставний. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 250 мОм.
КомплектаціяУ комплекті поставляється 10 транзисторів STW18NM60N. Полярність транзистора — уніполярна. Заряд затвора становить 34 нКл.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
