
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 140 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.67 В |
| Максимальний зворотний струм | 13 мкА |
| Максимальний прямий струм | 20 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Тип монтажу | Поверхневий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1 — це напівпровідниковий компонент технології SiC у корпусі TO263-2 для монтажу SMD. Комплект складається з 10 одиниць.
Діод працює з максимальною зворотною напругою 650 В та прямим струмом 20 А.
Технологія SiCВикористання карбіду кремнію (SiC).
Компактний монтаж SMDКорпус TO263-2 та тип монтажу SMD дозволяють розміщувати діод на друкованих платах із високою щільністю компонентів.
Низький струм витокуСтрум витоку становить лише 13 мкА,
Потужність розсіюванняДіод здатний розсіювати потужність до 100 Вт,