
| Максимальна потужність розсіювання | 361 Вт |
|---|---|
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 2.1 В |
| Максимальний зворотний струм | 70 мкА |
| Максимальний прямий струм | 60 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Тип монтажу | Вставний |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1 — це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-2.## Комплектація
У комплекті 2 шт.
Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ. Максимальний прямий струм становить 60 А.
Потужність та втратиТехнологія виготовлення — SiC (карбід кремнію). Максимальна розсіювана потужність становить 361 Вт. Максимальний зворотний струм становить 70 мкА.
Монтаж та корпусКорпус компонента — TO247-2. Тип монтажу — THT (through-hole technology).