
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 77 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4 — це польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі D2PAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 77 А при потужності розсіювання 312 Вт.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 100 В та максимально допустимий струм стоку 77 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 10.5 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 312 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений за технологією SuperMesh™ та має версію ESD. Корпус D2PAK призначений для поверхневого монтажу (SMD). Тип транзистора — польовий, канал збагачений, полярність уніполярна.
КомплектаціяУ наборі постачається 10 шт. транзисторів STB120NF10T4.