Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60Z-1, 600 В, 2,5 А, IPAK (20 шт.)
Код: TM206679
В наявності
1 950 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 325 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | IPAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60Z-1 — це польовий транзистор з збагаченим каналом та максимально допустимою напругою 600 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 2,5 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: IPAK, вставний монтаж
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 2,5 А, імпульсний струм: 16 А. Максимальна потужність розсіювання: 70 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) складає 2000 мОм.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі IPAK із вставним типом монтажу. Зарядка затвора становить 26 нКл.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
