
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 95 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 39 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 20 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06LT4 — це польовий транзистор з каналом збагачення (unipolarny) у корпусі D2PAK. Комплект складається з 20 одиниць. Основні параметри: максимальна напруга стік-витік 60 В, струм стоку 39 А, потужність розсіювання 95 Вт.
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 39 А. Максимальна потужність розсіювання становить 95 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 20 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 16 В.
Конструкція та монтажВиріб виконаний у поверхневому монтажі у корпусі D2PAK. Використовується технологія SuperMesh™. Тип монтажу — поверхневий.
Комплектація та версіяУ комплекті постачається 20 транзисторів. Версія компонента позначена як ESD.