
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Коефіцієнт передачі струму | 16 дБ |
| Максимальна потужність розсіювання | 500 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 40 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 125 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Тип транзистора | Польовий |
| Гранична частота передачі | 175 МГц |
|---|
| Вихідна потужність | 300 Вт Вт |
|---|---|
| ККД | 60 % |
| Корпус | M244 |
Уніполярний ВЧ-транзистор (RF) N-MOSFET STMicroelectronics SD2932W у корпусі M244. Напруга стік-витік — 125 В, струм стоку — 40 А, розсіювана потужність — 500 Вт. N-MOSFET — польовий МОН-транзистор з каналом n-типу.
Напруга затвор-витік — ±40 В. Вихідна потужність — 300 Вт. Посилення — 16 дБ. ККД — 60 %. Частота — 175 МГц.