Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80ZFP, 800 В, 3 А, 40 Вт, TO220FP (5 шт.)
Код: TM114332
В наявності
2 460 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 410 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80ZFP — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220FP для монтажу в отвори (THT). Комплект складається з 5 одиниць.
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 3 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус TO220FP з монтажем у отвори (THT)
- Технологія SuperMesh™ та версія ESD
- Комплект: 5 транзисторів
Максимальна напруга стік-витік становить 800 В. Максимальний струм стоку обмежений значенням 3 А, а потужність розсіювання — 40 Вт.
Технологія та захистТранзистор виготовлений за технологією SuperMesh™. Версія ESD.
Корпус та монтажКомпонент постачається в корпусі TO220FP. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи транзистора призначені для встановлення в отвори друкованої плати та пайки з іншого боку.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
