Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF20N65M5, 650В, 18А, TO220FP (набір 10 шт.)
Код: TM114281
В наявності
2 470 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 412 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF20N65M5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 18 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220FP для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 18 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Опір у стані провідності: 0,19 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія виробництва: MDmesh™
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Прилад має максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 18 А. Потужність розсіювання становить 30 Вт, а опір у стані провідності — 0,19 Ом. Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™, що забезпечує його електричні параметри.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється в отвори (THT).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
