
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 42 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF06T4 — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 42 А.
Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку досягає 42 А, що визначає потужність пристрою. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 16 mOm, що впливає на теплові втрати при роботі. Максимальна потужність розсіювання — 110 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виготовлений у поверхневому корпусі DPAK. Використовується технологія SuperMesh™. Версія пристрою позначена як ESD. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
КомплектаціяУ наборі постачається 10 шт. транзисторів.