Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW57N65M5-4, 650 В, 26,5 А (5 шт.)
Код: TM020995
В наявності
2 820 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 470 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 26.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 56 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Технологія | MDmeshTM В |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW57N65M5-4 — це силовий польовий транзистор технології MDmesh™ V у корпусі TO247-4. Комплект складається з 5 одиниць із виведенням Кельвіна та захистом ESD.
- Напруга стік-витік: 650 В
- Струм стоку: 26,5 А
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Опір відкритого стану: 56 мОм
- Корпус: TO247-4
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 26,5 А. Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 56 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена 25 В.
Конструкція, корпус та монтажПристрій має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO247-4. Технологія MDmesh™ В. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Наявність виведення Кельвіна.
Комплектація та версіяУ наборі постачається 5 транзисторів. Версія пристрою позначена як ESD.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
