Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45NM50, 500В, 28,4А, TO247 (2 шт.)
Код: TM037227
В наявності
2 320 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 387 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 390 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 28.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45NM50 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 28,4 А. Товар поставляється комплектом із 2 штук у корпусі TO247 для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дренаж-виток: 500 В
- Струм дренажу: 28,4 А
- Розсіювана потужність: 390 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплект: 2 шт.
Прилад має максимальну розсіювану потужність 390 Вт та опір у стані провідності 0,1 Ом. Дозволене напруга між затвором і витоком становить ±30 В. Ці параметри визначають робочі межі транзистора в електричних схемах.
Корпус та монтажТранзистор виконаний у корпусі TO247. Монтаж здійснюється в отвори (THT). Технологія виготовлення MDmesh™ вказана виробником як особливість структури приладу.
КомплектаціяУ наборі знаходиться 2 транзистори STW45NM50.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
