Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK50Z, 500V, 2.7A, TO220-3 (набір 10 шт.)
Код: TM078837
В наявності
1 960 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 327 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK50Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 2,7 А. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дренаж-виток: 500 В
- Струм дренажу: 2,7 А
- Розсіювана потужність: 70 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: набір із 10 штук
Прилад має максимальну розсіювану потужність 70 Вт та опір у відкритому стані 1,5 Ом. Напруга між затвором і витоком становить ±30 В, що визначає допустимі режими керування. Використовується технологія SuperMesh™.
Захист та монтажВерсія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду. Корпус TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
