Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP, 800В, 1,89А, TO220FP (набір 10 шт.)
Код: TM078836
В наявності
2 770 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 462 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.89 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором, розрахований на високу напругу та струм. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP з монтажем у отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-виток: 800 В
- Струм стоку: 1,89 А
- Розсіювана потужність: 25 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Напруга між стоком та витоком становить 800 В. Струм стоку дорівнює 1,89 А, а розсіювана потужність — 25 Вт. Напруга між затвором та витоком — ±30 В.
Корпус та конструкціяКомпонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT). Транзистор має версію ESD.
Тип та технологіяТранзистор є уніполярним N-MOSFET із збагачуваним каналом. У виробництві застосована технологія SuperMesh™. Опір у відкритому стані становить 3,5 Ом.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
