Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N65M5, 650V, 22A, 210W, TO220-3 (3 шт.)
Код: TM078834
В наявності
2 470 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 412 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 210 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 78 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmeshTM В |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N65M5 — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ V, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі TO220-3 з монтажем THT.
- Струм дрена 22 А
- Напруга дрена-джерела 650 В
- Потужність розсіювання 210 Вт
- Опір у стані провідності 78 мОм
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 3 шт.
Транзистор має напругу дрена-джерела 650 В та струм дрена 22 А. Потужність розсіювання становить 210 Вт, а опір у стані провідності — 78 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±25 В.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
