Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60M2, 600В, 16А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM037166
В наявності
2 160 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 360 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ M2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60M2 — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ M2 у корпусі TO220-3. Комплект складається з 5 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Напруга стік-витік 600 В
- Постійний струм стіка 16 А
- Імпульсний струм 104 А
- Розсіювана потужність 190 Вт
- Опір у відкритому стані 0,125 Ом
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Прилад має напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 16 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 104 А, а розсіювана потужність становить 190 Вт.
Тип та монтажТранзистор є уніполярним з каналом збагачення. Монтаж виконується на плату (THT).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
