Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF10, 100В, 25А, TO220-3 набір 10 шт.
Код: TM078831
В наявності
2 240 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 373 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF10 — це силовий напівпровідниковий прилад технології STripFET™ II у корпусі TO220-3. Характеризується напругою до 100 В та струмом до 25 А.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 25 А
- Потужність розсіювання: 115 Вт
- Опір у стані провідності: 45 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 10 шт.
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 25 А. Потужність розсіювання становить 115 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 45 мОм.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220-3 з монтажем THT (сквозной монтаж).
КомплектаціяУвага: товар постачається набором із 10 транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
