
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 85 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NF10 — це уніполярний прилад із каналом збагачення, розроблений за технологією STripFET™ II. Комплект із 20 штук у корпусі TO220-3 підходить для монтажу на плату (THT) у пристроях із навантаженням до 100 В та струмом до 18 А.
Транзистор здатен розсіювати потужність до 85 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах без надмірного перегріву. Це важливо для стабільної роботи обладнання при тривалих навантаженнях.
Низький опір у відкритому станіОпір у стані провідності становить 60 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Така характеристика підвищує загальний ККД електронного пристрою.
Надійна ізоляція та керуванняМаксимальна напруга між витоком та джерелом становить 100 В, а напруга на затворі може досягати ±20 В. Це забезпечує гнучкість у підборі драйверів керування та захист від перенапруги.
Зручний монтаж та комплектаціяКомпоненти виконані у стандартному корпусі TO220-3 для вивідного монтажу (THT), що спрощує пайку та заміну. У пакуванні міститься 20 транзисторів, що вигідно для серійного виробництва або ремонтних майстерень.