Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5, 800 В, 7,6 А (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5 — це польовий транзистор з каналом типу N, виконаний за технологією SuperMESH5™. Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, максимально допустимий струм стоку — 7,6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 7,6 А
• Потужність розсіювання: 190 Вт
• Опір у відкритому стані: 450 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж вставний
• Технологія: SuperMESH5™
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Максимально допустима напруга стік-витік (VDS) становить 800 В, що визначає верхню межу робочої напруги пристрою. Максимально допустимий струм стоку (ID) дорівнює 7,6 А. Максимальна потужність розсіювання (PD) обмежена значенням 190 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) складає 450 мОм.

Транзистор виготовлений у корпусі TO220-3. Тип монтажу — вставний (THT), що передбачає встановлення компонентів у отвори друкованої плати. Версія пристрою позначена як ESD. Канал транзистора є збагаченим (enhancement mode), а полярність — уніполярною.