Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120NF10, 100В, 77А, TO220-3 (20 шт.)
Код: TM020909
В наявності
3 440 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 573 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 77 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120NF10 — це уніполярний компонент технології STripFET™ II. Комплект із 20 штук.
- Струм дрена: 77 А
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Розсіювана потужність: 312 Вт
- Опір у стані провідності: 10,5 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 20 шт.
Транзистор розрахований на постійний струм дрена 77 А.
Ефективне розсіювання теплаМаксимальна розсіювана потужність становить 312 Вт. Корпус TO220-3 з монтажем THT.
Низький опір у відкритому станіОпір у стані провідності дорівнює 10,5 мОм.
Надійна ізоляція та керуванняМаксимальна напруга дрена-джерела становить 100 В, а напруга затвор-джерело — ±20 В. Канал збагачуваний.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
