Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120N4F6, 40V, 80A, TO220-3 (набір 10 шт.)
Код: TM078813
В наявності
1 960 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 327 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ H6 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120N4F6 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 10 одиниць.
- Струм дрена 80 А (постійний) та 320 А (імпульсний)
- Напруга дрена-джерела 40 В
- Опір у відкритому стані 4,3 мОм
- Корпус TO220-3 для монтажу THT
- Технологія STripFET™ H6
- Комплект: 10 транзисторів
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 40 В та постійним струмом дрена 80 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 320 А, а розсіювана потужність становить 110 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 4,3 мОм.
Технологія та керуванняПрилад виготовлений за технологією STripFET™ H6. Заряд затвора становить 65 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В. Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
