Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD, 600 В, 7 А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM020908
В наявності
2 730 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 455 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | FDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD — польовий транзистор з технологією FDmesh™ у корпусі TO220-3.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 7 А
- Потужність розсіювання: 160 Вт
- Опір у відкритому стані: 450 мОм
- Корпус: TO220-3, вставний монтаж
- Комплектація: 5 шт.
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, а максимально допустимий струм стоку — 7 А. Потужність розсіювання досягає 160 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 450 мОм.
Конструкція та монтажТранзистор має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO220-3. Канал транзистора є збагаченим (wzbogacany), полярність — уніполярна. Версія компонента позначена як ESD.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
