
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 85 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 680 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ M2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11N65M2 — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N та технологією MDmesh™ M2. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT).
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 650 В. Постійний струм стоку становить 4,4 А, а імпульсний струм може досягати 28 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,68 Ом.
Конструктивні особливостіПрилад виготовлений за технологією MDmesh™ M2. Заряд затвора становить 12,5 нКл. Максимальна розсіювана потужність — 85 Вт. Напруга між затвором та витоком обмежена ±25 В.
Монтаж та комплектаціяКорпус TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 10 транзисторів. Транзистор є уніполярним.