
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 258 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220AB |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP30M65DF2 у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць.
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 650 В та постійним струмом колектора 30 А.
Імпульсна потужністьПрилад витримує імпульсний струм колектора до 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 258 Вт.
Вбудований діод та монтажКомпонент має інтегрований антипаралельний діод. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO220AB.
Керування та зарядНапруга керування затвором становить ±20 В, а заряд затвора — 80 нКл.
КомплектаціяУ набір входить 10 транзисторів STGP30M65DF2.