Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N170, 1,7 кВ, 2,6 А, 63 Вт, TO3PF (5 шт.)
Код: TM020821
В наявності
2 580 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 430 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 63 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PF |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N170 — це польовий транзистор з збагаченим каналом, призначений для роботи з напругою до 1,7 кВ. Модель має максимальний струм стоку 2,6 А та потужність розсіювання 63 Вт у корпусі TO3PF.
- Тип транзистора: N-MOSFET, збагачений канал
- Максимальна напруга: 1,7 кВ
- Максимальний струм стоку: 2,6 А
- Потужність розсіювання: 63 Вт
- Корпус: TO3PF, вставний монтаж
- Опір у відкритому стані: 7000 мОм
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу N та збагаченим каналом (enhancement mode). Максимально допустима напруга стік-витік становить 1,7 кВ, що визначає клас високовольтних компонентів. Максимальний струм стоку дорівнює 2,6 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 7000 мОм.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений у корпусі TO3PF. Потужність розсіювання — 63 Вт. Тип монтажу — вставний (through-hole). Загальний заряд затвора (gate charge) становить 44 нКл.
КомплектаціяУ наборі постачається 5 транзисторів STFW3N170.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
