
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF8N80K5 — польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 800 В та струм стоку 6 А. Прилад виконаний у корпусі TO220FP із вставним монтажем, максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 800 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 6 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 950 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт.
Конструкція та монтажПрилад виготовлений у корпусі TO220FP, що забезпечує вставний тип монтажу. Транзистор є польовим, з каналом типу «збагачення» (wzbogacany) та уніполярною поляризацією. Заряд затвора становить 16,5 нКл, а імпульсний струм стоку — 24 А.
КомплектаціяУ комплекті поставляється 10 транзисторів.