Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF8N65M5, 650 В, 4,4 А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF8N65M5 — це польовий транзистор збагаченого каналу, виготовлений за технологією MDmesh™ V. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 4,4 А. У комплекті постачається 10 одиниць у корпусі TO220FP.

• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 4,4 А
• Потужність розсіювання: 25 Вт
• Опір у відкритому стані: 600 мОм
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Комплектація: 10 шт.

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та максимальний струм стоку 4,4 А. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 600 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це однополярний транзистор з каналом типу «збагачений». Версія пристрою позначена як ESD. Технологія виробництва — MDmesh™ V.