Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N65M5, 650 В, 5,6 А, TO220FP (набір 10 шт.)
Код: TM078686
В наявності
1 880 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 313 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 480 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ M5 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N65M5 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення та технологією MDmesh™ M5. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 5,6 А (імпульсний до 36 А)
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ M5
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 5,6 А. У імпульсному режимі струм може досягати 36 А. Опір у стані провідності становить 0,48 Ом.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється методом THT (в отвори на платі). Максимальна розсіювана потужність становить 25 Вт, а заряд затвора — 17 нКл.
КомплектаціяУ наборі постачається 10 транзисторів STF11N65M5.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
