Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, RF, 40V, 5A, 73W, PowerSO10RF (2 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, RF, 40V, 5A, 73W, PowerSO10RF (2 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM020105
Price: 3510 UAH
Availability: InStock

Код: TM020105

В наявності

3 510 ₴

+1%

бонусів з карткою Rozetka

Продавець CLICKgo.fun- інтернет магазин

94%

Доставка

Підписка на доставку Smart
Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
Дізнатися більше
Нова Пошта

Оплата та гарантії

Безпечна оплата карткою
Без переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинами
Без переплат*, від 585 ₴ / міс.
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунок
IBAN UA063220010000026005360045578

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, RF, 40V, 5A, 73W, PowerSO10RF (2 шт.) - фото 1 - id-p3231618489

Характеристики та опис

Основні

Виробник	STMicroelectronics
Коефіцієнт передачі струму	14 дБ
Максимальна потужність розсіювання	73 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік	20 В
Максимально допустима напруга стік-витік	40 В
Максимально допустимий струм стоку	5 А
Тип монтажу	Поверхневий
Тип транзистора	Польовий

Додаткові характеристики

Гранична частота передачі	500 МГц

Користувальницькі характеристики

Вихідна потужність	15000 Вт
ККД	55 %
Кількість у комплекті	2 шт.
Корпус	PowerSO10RF

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics PD55015-E призначений для радіочастотних (RF) застосувань. Це уніполярний компонент з напругою дрена 40 В та струмом 5 А, що забезпечує потужність розсіювання 73 Вт у корпусі PowerSO10RF.

Тип: N-MOSFET, RF, уніполярний
Напруга дрена: 40 В, струм: 5 А
Потужність розсіювання: 73 Вт
Вихідна потужність: 15 Вт (15000 мВт)
Робоча частота: до 500 МГц
ККД: 55 %, посилення: 14 дБ
Корпус: PowerSO10RF, монтаж SMD
Комплект: 2 шт.

Висока ефективність у RF-схемах

Компонент працює на частоті до 500 МГц, що робить його придатним для підсилювальних каскадів у радіопередавачах. Коефіцієнт корисної дії (ККД) становить 55 %, що дозволяє ефективно перетворювати енергію та зменшувати нагрівання. Посилення сигналу досягає 14 дБ, забезпечуючи стабільний рівень вихідної потужності.

Потужність та тепловий режим

Вихідна потужність транзистора становить 15 Вт (15000 мВт), що підходить для середньопотужних передавачів. Максимальна потужність розсіювання 73 Вт вимагає якісного відведення тепла, але гарантує стабільну роботу під навантаженням. Висока потужність розсіювання дозволяє компоненту витримувати значні струмові навантаження без перегріву.

Електричні параметри та канал

Канал транзистора є збагачуваним, що забезпечує надійне вимикання при відсутності напруги на затворі. Напруга затвор-витік становить ±20 В, що дозволяє використовувати стандартні драйвери затвора без додаткових обмежень. Ці характеристики визначають стабільність роботи компонента в схемах керування.