Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200, SiC, 1200 В, 25 А, SOT227B
Код: TM018333
В наявності
3 220 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 537 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Додаткові характеристики
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
|---|
Основні
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Корпус | SOT227B |
|---|---|
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 |
| Технологія | SiC |
Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200 — це силовий MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі SOT227B. Пристрій розрахований на максимальну напругу 1200 В та струм стоку 25 А.
- Технологія: SiC
- Корпус: SOT227B
- Максимальна робоча температура: 150 °C
- Максимально допустимий струм стоку: 25 А
- Монтаж: прикручуваний
Модуль працює з максимальною робочою температурою до 150 °C. Максимально допустимий струм стоку становить 25 А. Технологія SiC визначає ключові характеристики напівпровідникової структури.
Конструкція та монтажКорпус типу SOT227B забезпечує стандартне кріплення. Монтаж механічний та електричний — прикручуваний. Структура напівпровідника — одиночний транзистор, поляризація уніполярна.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
