Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1, 650 В, 50 А, TO247-3 (комплект 2 шт.)
Код: TM072021
В наявності
2 100 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 350 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 200 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1 у корпусі TO247-3 із вбудованим діодом Шотткі на карбіді кремнію (SiC SBD). Комплект складається з 2 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Струм колектора 50 А, імпульсний до 200 А
- Напруга колектор-емітер 650 В
- Розсіювана потужність 357 Вт
- Вбудований діод SiC SBD
- Корпус TO247-3, монтаж THT
- Комплект із 2 транзисторів
Транзистор розрахований на постійний струм колектора 50 А та імпульсний струм до 200 А. Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт.
Напруга та технологіяМаксимальна напруга колектор-емітер дорівнює 650 В, а напруга затвор-емітер — ±20 В. Використання технології Field Stop та Trench. Вбудований антипаралельний діод на SiC SBD.
ШвидкодіяЧас увімкнення транзистора становить 54 нс, а час вимкнення — 256 нс. Заряд затвора дорівнює 308 нКл.
КомплектаціяУ комплекті постачається 2 транзистори в корпусі TO247-3 з виводами для вивідного монтажу (THT).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
