Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1, 650 В, 50 А, TO247-3, 2 шт.
Код: TM035125
В наявності
2 560 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 427 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1 — напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3 з інтегрованим антипаралельним діодом. Комплект складається з 2 одиниць, для монтажу у розрив (through-hole).
- Тип монтажу: вставний (through-hole)
- Корпус: TO247-3
- Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
- Максимальний струм колектора: 50 А
- Максимальна потужність розсіювання: 357 Вт
- Технологія: Field Stop, Trench, SiC SBD
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, а максимальний струм колектора — 50 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 357 Вт. Напруга затвор-емітер обмежена значенням ±20 В.
Технологія та конструкціяПрилад виготовлений за технологією Field Stop, Trench та використовує SiC SBD. Корпус TO247-3. Інтегрований антипаралельний діод.
КомплектаціяУ наборі постачається 2 транзистори. Кількість у комплекті: 2 шт.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
