
| Максимальна потужність розсіювання | 112 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 180 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.92 В |
| Максимальний зворотний струм | 30 мкА |
| Максимальний прямий струм | 40 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Тип монтажу | Вставний |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1 — це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Комплект складається з 2 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
Діоди мають максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та номінальний струм провідності 20 А на кожен канал. Структура напівпровідника подвійна, зі спільною катодою.
Потужність та струмиВикористання технології SiC забезпечує низький струм витоку 30 мкА та максимальну розсіювану потужність 112 Вт. Максимальний імпульсний струм становить 180 А,
Монтаж та корпусТип монтажу THT передбачає встановлення компонентів у отвори плати. Корпус TO247-3.