
| Максимальна потужність розсіювання | 62 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 85 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.7 В |
| Максимальний зворотний струм | 20 мкА |
| Максимальний прямий струм | 10 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Тип монтажу | Вставний |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1 — це напівпровідниковий компонент із технологією SiC у корпусі TO220-2 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 10 одиниць.
Діод має максимальну постійну зворотну напругу 650 В та максимальний прямий струм 10 А. Максимально допустимий прямий імпульсний струм становить 85 А.
Потужність та витокиМаксимальна пряма напруга діода дорівнює 1,7 В. Максимальна потужність розсіювання становить 62 Вт. Ток витоку зафіксований на рівні 20 мкА.
Конструкція та технологіяКомпонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Корпус TO220-2 з виводами для монтажу на плату (THT). Структура напівпровідника — одиночний діод.