
| Максимальна потужність розсіювання | 64 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 56 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1 В |
| Максимальний зворотний струм | 11 мкА |
| Максимальний прямий струм | 8 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Тип монтажу | Вставний |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K1 — це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC). Комплект із 20 одиниць у корпусі TO220-2.
Діод має максимальну зворотну напругу 650 В та прямий струм 8 А. Максимальний імпульсний струм становить 56 А.
Структура та втратиСтруктура напівпровідника — одиночний діод. Напруга відкритого стану (Ufmax) не перевищує 1 В, а струм витоку становить 11 мкА.
Монтаж та потужністьКомпонент виконаний у корпусі TO220-2 для монтажу на плату (THT). Максимальна розсіювана потужність становить 64 Вт.