Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC N-MOSFET SiC 1200В 27А TO247-3
Код: TM071287
В наявності
1 990 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 332 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 241 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 27 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Корпус | TO247-3 |
|---|---|
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC — це силовий N-MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Прилад розрахований на напругу 1,2 кВ та постійний струм 27 А.
- Тип: N-MOSFET на основі SiC
- Напруга стік-виток: 1200 В
- Струм стоку: 27 А (імпульсний 80 А)
- Потужність розсіювання: 241 Вт
- Опір у відкритому стані: 80 мОм
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
Транзистор витримує напругу між стоком та витоком до 1,2 кВ. Номінальний струм стоку становить 27 А, а імпульсний струм може досягати 80 А.
Потужність розсіюванняПотужність розсіювання дорівнює 241 Вт. Це визначає тепловий режим роботи компонента під навантаженням.
Технологія SiC та опірВикористання технології SiC (карбід кремнію) забезпечує опір у відкритому стані 80 мОм. Це зменшує втрати потужності у відкритому стані.
Тип та монтажТранзистор є уніполярним із каналом збагачення. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO247-3.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
